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概述
设备采用In-feed 磨削原理而设计,采用粗磨精磨轨迹重合技术,提高设备磨削加工精度。磨削过程采用自适应控制技术,控制磨削应力,提高晶片质量。
性能指标
圆晶直径  | Max.Φ300mm  | |
磨削方式  | In-feed grinding with wafer rotation 通过旋转晶圆,实现纵向切入式磨削  | |
主轴  | 主轴数量  | 2  | 
输出功率  | 7.5KW  | |
转速  | 1000-4000rpm  | |
Z轴  | 行程  | 120mm(有初始化位置)  | 
进给速度  | 0.00001~0.08mm/s  | |
最大返回速度  | 50mm/s  | |
分辨率  | 0.1pm  | |
承片台数量  | 3  | |
工作台转速  | 0-300rpm  | |
减薄精度  | 片内厚度偏差  | <3μm  | 
片间厚度偏差  | <±3μm  | |
表面粗糙度Ra  | 根据使用的砂轮目数决定  | |
测量仪  | 测量范围  | 0-1800μm (选配)  | 
分辨率  | 0.1μm (选配)  | |
重复精度  | ±0.5μm (选配)  | |
其他规格  | 外形尺寸(WxDxH)  | 1200mmx1800mmx1910mm  | 
设备重量  | ≈3300 kg  | |
产品特色
●采用In-feed 磨削原理而设计;
●磨削过程采用自适应控制技术,控制磨削应力,提高晶片质量;
●设备配有3个可定制尺寸和类型的多孔陶瓷台,承片台轴采用精密机械轴承;
●双轴三承片台结构,粗磨精磨磨削同时进行,加工效率大幅度提高;
●采用粗磨精磨轨迹重合技术,提高设备磨削加工精度。
管理员
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