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概述
设备采用In-feed 磨削原理而设计,采用粗磨精磨轨迹重合技术,提高设备磨削加工精度。磨削过程采用自适应控制技术,控制磨削应力,提高晶片质量。
性能指标
圆晶直径 | Max.Φ300mm | |
磨削方式 | In-feed grinding with wafer rotation 通过旋转晶圆,实现纵向切入式磨削 | |
主轴 | 主轴数量 | 2 |
输出功率 | 7.5KW | |
转速 | 1000-4000rpm | |
Z轴 | 行程 | 120mm(有初始化位置) |
进给速度 | 0.00001~0.08mm/s | |
最大返回速度 | 50mm/s | |
分辨率 | 0.1pm | |
承片台数量 | 3 | |
工作台转速 | 0-300rpm | |
减薄精度 | 片内厚度偏差 | <3μm |
片间厚度偏差 | <±3μm | |
表面粗糙度Ra | 根据使用的砂轮目数决定 | |
测量仪 | 测量范围 | 0-1800μm (选配) |
分辨率 | 0.1μm (选配) | |
重复精度 | ±0.5μm (选配) | |
其他规格 | 外形尺寸(WxDxH) | 1200mmx1800mmx1910mm |
设备重量 | ≈3300 kg |
产品特色
●采用In-feed 磨削原理而设计;
●磨削过程采用自适应控制技术,控制磨削应力,提高晶片质量;
●设备配有3个可定制尺寸和类型的多孔陶瓷台,承片台轴采用精密机械轴承;
●双轴三承片台结构,粗磨精磨磨削同时进行,加工效率大幅度提高;
●采用粗磨精磨轨迹重合技术,提高设备磨削加工精度。
管理员
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